RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
42
Wokół strony -147% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
17
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
22.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3704
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Jinyu 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link