RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
42
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
25.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
25.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
20.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
4537
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link