RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Comparar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
42
Por volta de -68% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
25.6
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
20.7
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
25
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
25.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
20.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
4537
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link