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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Comparar
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
38
Por volta de 34% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.5
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
38
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
10.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1896
2346
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB Comparações de RAM
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
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