RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Comparar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
37
Por volta de -9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
34
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
11.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2468
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link