RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
42
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
4024
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link