RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
42
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3007
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
OCZ OCZ2P800R21G 1GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link