RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
42
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
21
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2073
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Jinyu 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link