RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
71
Wokół strony -163% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2300
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link