RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
42
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2950
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link