RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
42
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
34
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2665
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link