RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
42
Около -24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
34
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
17.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2665
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link