RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
42
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2740
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link