RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Panram International Corporation M424051 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation M424051 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
97
Wokół strony 57% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
5.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation M424051 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
97
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
5.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
1270
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link