RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
42
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
1870
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link