RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
77
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.9
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
8.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2206
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link