RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
77
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость чтения
8.9
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.9
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
38
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
8.9
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2206
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link