RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2494
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link