RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
42
Около -40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
30
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
15.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2494
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link