RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
42
Wokół strony -121% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
22.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
19
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
21.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
22.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
4574
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link