RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
59
Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3126
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link