RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
43
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
2910
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix JICRBOOAN-8G1600PC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link