RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
62
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
37
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2314
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link