RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2494
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link