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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
比較する
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
30
周辺 17% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.1
15.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
11.5
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
30
読み出し速度、GB/s
16.1
15.9
書き込み速度、GB/秒
10.1
11.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
2494
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
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