RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
62
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
37
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
15.6
Скорость записи, Гб/сек
5.9
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2314
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link