RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
42
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2831
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link