RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
10600
Wokół strony 2.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
23400
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2935
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link