RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
42
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
39
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2159
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link