RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Comparar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
42
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.8
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
39
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
10.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
2159
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link