RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
42
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2854
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link