RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
42
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2544
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link