RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
77
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
77
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
1809
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link