RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs AMD R744G2400U1S 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
AMD R744G2400U1S 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD R744G2400U1S 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
104
Wokół strony -373% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2862
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
AMD R744G2400U1S 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link