RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
104
Wokół strony -271% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3535
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link