RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
104
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3130
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link