RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
104
Wokół strony -247% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3435
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link