RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
16.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
104
Wokół strony -247% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3786
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link