RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
104
Wokół strony -225% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2822
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Inmos + 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link