RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
104
Wokół strony -271% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3502
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link