RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
104
Wokół strony -259% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3672
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link