RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
104
Wokół strony -271% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3384
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HX424C15PB/4 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link