RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
104
Wokół strony -285% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3561
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link