RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
104
Wokół strony -174% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2471
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston 99U5471-040.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link