RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
104
Wokół strony -333% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3009
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link