RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
104
Wokół strony -167% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
39
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2571
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Swissbit MEN02G64D2BE2MT-25 2GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link