RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
104
Wokół strony -247% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2951
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link