RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
104
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2539
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link