RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
53
104
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
53
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2476
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link