RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
64
104
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
64
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2016
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link